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碳化硅（SiC）晶体及基片

来源：广州昊诺实验室设备有限公司 发布日期：2019-05-09

碳化硅（SiC）晶体及基片

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 简介：


     SiC单晶具有许多优良的性质，热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等，适合于制备高频率、高功率、耐高温以及耐辐照的电子器件。


参数：

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